TSM1NB60LCW RPG
Número do Produto do Fabricante:

TSM1NB60LCW RPG

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

TSM1NB60LCW RPG-DG

Descrição:

600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 230mA (Ta), 550mA (Tc) 10.4W (Tc) Surface Mount SOT-223

Inventário:

5000 Pcs Novo Original Em Estoque
13240511
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TSM1NB60LCW RPG Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
230mA (Ta), 550mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
98 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
10.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA

Informação Adicional

Outros nomes
1801-TSM1NB60LCWRPGCT
1801-TSM1NB60LCWRPGTR
1801-TSM1NB60LCWRPGDKR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

IQD016N08NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IPDQ65R029CFD7AXTMA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS

infineon-technologies

IQD009N06NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

ISZ062N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V